Наличие на складе: по запросу

Технические параметры:

Производитель onsemi

Описание

NXH160T120L2Q2F2S1G Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Integrated Module (PIM), IGBT 1200 V, 160 A and 650 V, 100 A